英特爾陳立武：記憶體晶片吃緊將持續至2028年 攜手軟銀布局ZAM

英特爾（INTC）執行長陳立武週二（3日）示警，全球記憶體晶片供應吃緊的情況恐將持續多年，短期內難以紓解。他轉述多家主要記憶體製造商的看法指出，在生成式AI高速擴張帶動下，整體供需失衡至少要到2028年才有機會出現明顯改善，記憶體短缺已成科技產業長期結構性問題。
根據《CNBC》報導，陳立武在「思科AI高峰會」（Cisco AI Summit）上表示，近期與兩家關鍵記憶體供應商交流後，對方直言供應緊張狀態「至少到2028年之前都不會紓解」。他強調，AI是當前記憶體產業面臨的「最大挑戰」，龐大的模型訓練與推論需求，正快速吞噬原本供應給個人電腦與伺服器的記憶體資源；並點名輝達（NVDA）最新Rubin平台與後續世代AI處理器，勢必進一步拉高高頻寬記憶體用量，直言「AI將吸收大量的記憶體」，使供應壓力持續向上。
在產業布局方面，陳立武透露，英特爾正積極推進GPU發展，並已成功延攬新任首席GPU架構師，相關計畫將與資料中心晶片業務及晶圓代工服務緊密整合。他坦言，關鍵人才招募並不容易，但對新成員的加入感到振奮。
同日，日本軟銀集團旗下新創公司Saimemory與英特爾宣布，雙方已簽署合作協議，將共同開發針對AI與高效能運算的次世代記憶體技術「Z角度記憶體」（Z-Angle Memory，ZAM），目標是在2028財年前完成原型，並於2029財年推動商業化，鎖定資料中心與大型AI模型訓練、推論等高負載應用。
《日經新聞》指出，ZAM主打高容量、高頻寬與低功耗，目標將能耗較現行產品降低一半，且成本有望低於HBM。英特爾政府科技部門技術長弗萊曼（Joshua Fryman）表示，傳統記憶體架構已難以滿足AI需求，英特爾將透過新架構與鍵合技術，提升DRAM效能與能源效率，又能降低功耗與成本，強調「能夠研發比HBM更便宜的記憶體」，可望在未來十年更容易被廣泛採用；SAIMEMORY社長山口秀哉則表示，「就某種意義來看，這是破壞性的挑戰」。市場解讀，在AI帶動算力與記憶體需求同步飆升下，具備能效優勢的次世代記憶體，將成為資料中心升級與半導體產業競逐的關鍵戰場。