Intel 與 SoftBank 子公司合作研發「Z-Angle Memory」 希望挑戰 HBM 領導地位

為了突破現有HBM (高頻寬記憶體)的物理限制，Intel宣布與SoftBank旗下子公司SAIMEMORY簽署合作協議，雙方將共同推動名為「Z-Angle Memory」的新型記憶體技術 (簡稱ZAM計畫)，目標是在AI與高效能運算 (HPC)領域，創造出比現有HBM更強大、更省電的下一代記憶體標準。

什麼是Z-Angle Memory？

SAIMEMORY總部位於日本東京，其核心技術在於開發一種全新的堆疊式DRAM架構。

目前AI伺服器主流使用的HBM，雖然頻寬高，但在封裝難度與功耗上仍有瓶頸。而SAIMEMORY的新架構標榜在性能上將超越現有的HBM標準，不僅能大幅提升記憶體容量，更能顯著降低功耗，並且改進封裝能力，將能改善AI系統在擴展過程中遇到的記憶體牆 (Memory Wall) 問題。

在此次合作中，Intel將擔任技術、創新及標準化的合作夥伴，利用其製程與封裝優勢協助開發；而SAIMEMORY則負責提供技術創新，並且主導ZAM技術的後續商用化推進發展。

國家級技術背書，預計2027推出原型設計

這項技術並非憑空出世，其基礎源自於美國能源部 (DOE) 與國家核安全管理局 (NNSA)發起的「先進記憶體技術」 (AMT)研發計畫。該計畫由桑迪亞 (Sandia)、勞倫斯利佛摩 (Lawrence Livermore) 與洛斯阿拉莫斯 (Los Alamos)在內三大國家實驗室共同推動。

Intel早前便在該計畫資助下，進行下一代DRAM鍵合 (Next Generation DRAM Bonding, NGDB)的研究，並且已驗證堆疊式DRAM在低延遲與低能耗下的可行性。

Intel院士Joshua Fryman直言：「標準記憶體架構已無法滿足AI的需求」。他認為NGDB計畫定義了一套全新方法，能優化記憶體成本並提升性能。

Intel、SAIMEMORY雙方合作時程表如下：

• 2026年第一季：正式啟動營運。

• 2027年：推出Z-Angle Memory原型產品。

• 2030年：實現商用化量產。

分析觀點

這項合作案反映兩個重要的產業趨勢：「HBM的焦慮」與「美日科技聯盟的深化」。

首先，目前AI記憶體市場幾乎由SK海力士與三星主導，HBM的產能與良率直接掐住AI加速器的出貨喉嚨。Intel與SoftBank聯手，顯然是想跳過現有的HBM戰場，直接押注下一代的3D DRAM堆疊技術。

不過，2030年商用化的時間點稍顯漫長。在AI發展一日千里的現在，四年後的記憶體市場可能已經演化出新標準。ZAM計畫能否在成本與良率上跑贏已經成熟的HBM生態系統，將是最大的挑戰。