Intel攜手軟銀子公司推動ZAM新型記憶體，採堆疊架構兼具高頻寬、大容量與節能、目標2030年商用

Intel宣布與軟銀集團其下子公司SAIMEMORY合作，將展開ZAM計畫的新型記憶體開發，旨在共同研發稱為Z-Angle Memory的新型記憶體，透過DRAM堆疊實現比既有HBM記憶體更高的頻寬、更大的容量與降低功耗，並透過封裝改進解決AI系統擴展的瓶頸。雙方以2026年啟動營運、2027年推出原型與2030年商用化為目標。

SAIMEMORY是隸屬軟銀集團其下的記憶體技術公司，著重在堆疊式DRAM架構開發，Intel將在合作中扮演擔任技術、創新與標準化的夥伴，而SAIMEMORY則提供技術創新與主導ZAM商用化進程，也象徵美日技術合作的信任基礎。

SAIMEMORY的架構是由美國能源部(DOE)與國家核安管理局(NNSA)發起、桑迪亞國家實驗室（Sandia National Laboratory）、勞倫斯利佛摩國家實驗室（Lawrence Livermore National Laboratory）與洛斯阿拉莫斯國家實驗室（Los Alamos National Laboratory）共同推動的先進記憶體技術(AMT)研發計畫。

Intel亦為AMT計畫早期贊助研發夥伴，並為堆疊式DRAM概念提供關鍵效能實證，同時啟動下一代DRAM鍵合(NGDB)計畫，在實現更高DRAM密度與頻寬的情況減少延遲與更低功耗。